AOSMD
产品
  
应用
  
设计支持
  
关于 AOS
  
CONTACT US

AOZ5516QI-02

AOZ5516QI-02

DrMOS + Smart Power Stages (SPS)

AOZ5516QI-02是一个采用QFN5x5封装的55A高功率DrMOS模块。 它使用PWM和FCCM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动,兼容3V/5V逻辑,支持三态PWM。可驱动Low-Side MOSFET至二极管续流模式,以提供异步操作从而改善轻载性能。过热情况下具有热警告。

  • Datasheets
  • Markings
  • Package
  • Reliability Reports
  • Tape & Reel
Download Selected
Features
  • 输入电压范围4.5V至25V
  • 连续输出电流55A
  • 10µs开启脉冲高达120A
  • 开关频率高达2MHz
  • 兼容3V/5V PWM和三态输入
  • 热警告输出
  • 支持Intel® Power State 4
  • FCCM控制用于二极管续流/CCM模式
  • 工业标准的5mm x 5mm QFN-31L封装
Features
  • 输入电压范围4.5V至25V
  • 连续输出电流55A
  • 10µs开启脉冲高达120A
  • 开关频率高达2MHz
  • 兼容3V/5V PWM和三态输入
  • 热警告输出
  • 支持Intel® Power State 4
  • FCCM控制用于二极管续流/CCM模式
  • 工业标准的5mm x 5mm QFN-31L封装
Documentation
TitleTypeDateFile
AOZ5516QI-02 DatasheetDatasheets2020-07-14PDF
AOZ5516QI-02 MarkingMarkings2020-05-05PDF
AOZ5516QI-02 Reliability ReportReliability Reports2020-05-05PDF
DrMOS-SPS Product HighlightsProduct Highlights2024-02-14PDF
QFN5x5A_31L_EP3_SPackage2020-08-04PDF
QFN5x5A_31L_EP3_S Tape & ReelTape & Reel2022-10-06PDF
Parametrics
Status
Full Production
Power Stage Type
DrMOS
Package
QFN5x5A-31L
Min Vin (V)
4.50
Max Vin (V)
25
Abs Max Vin (V)
30
Max DC I (A)
55
Max Peak I (A)
120
PWM Input (V)
5
Tri-State Range (V)
1.6 - 3.4
Max Frequency (MHz)
2
Shutdown Control
FCCM=TS, PWM=TS
Enable Diode Emulation Mode
FCCM = L
Thermal Flag
Yes
OCP (A)
No
HSD
No
Pre-OVP
No
Package Details
Package NameDimensionsPackage SpecificationsPackaging Method
QFN5x5A_31L_EP3_S 5.0x5.0x0.75PDFTape and Reel