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AOBB040V120X2Q

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Status: Full Production

SiC MOSFET作为第三代功率半导体,由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力,使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品,完全符合AECQ-101标准,专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发,非常容易使用。

Parametrics
Status
Full Production
Package
TO263-7L
VDS (V)
1200
ID @ 25°C (A)
55
Qrr (nC)
160
Qualification
Automotive
RDS(ON) typ (mΩ)
40
VGS,OP (V)
18
Tj max (°C)
175
Parametrics
Status
Full Production
Package
TO263-7L
VDS (V)
1200
ID @ 25°C (A)
55
Qrr (nC)
160
Qualification
Automotive
RDS(ON) typ (mΩ)
40
VGS,OP (V)
18
Tj max (°C)
175
Documentation
TitleTypeDateFile
AOBB040V120X2Q Datasheet
Datasheets2024-08-29PDF
AOBB040V120X2Q Marking
Markings2024-08-29PDF
TO263_7L
Package2024-08-29PDF
Package Details
Package NameDimensionsPackage SpecificationsPackaging Method
TO263_7L 9.08x10.18x4.43PDFTape and Reel