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AOGT020V120X2Q
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Status: New
SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品，完全符合AECQ-101标准，专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发，非常容易使用。
Parametrics
Status | New |
Package | GTPAK |
VDS (V) | 1200 |
ID @ 25°C (A) | 90 |
Qrr (nC) | 290 |
Qualification | Automotive |
RDS(ON) typ (mΩ) | 20 |
VGS,OP (V) | 15 |
Tj max (°C) | 175 |
Parametrics
Status | New |
Package | GTPAK |
VDS (V) | 1200 |
ID @ 25°C (A) | 90 |
Qrr (nC) | 290 |
Qualification | Automotive |
RDS(ON) typ (mΩ) | 20 |
VGS,OP (V) | 15 |
Tj max (°C) | 175 |
Documentation
| Title | Type | Date | File |
|---|---|---|---|
| AOGT020V120X2Q Datasheet | Datasheets | 2024-09-10 | |
| AOGT020V120X2Q Marking | Markings | 2024-08-30 | |
| GTPAK | Package | 2024-08-30 | |
| GTPAK Tape & Reel | Tape & Reel | 2024-08-23 |
Package Details
| Package Name | Dimensions | Package Specifications | Packaging Method |
|---|---|---|---|
| GTPAK | 10.0x15.0x2.3 | Tape and Reel |