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AOK033V120X2Q

AOK033V120X2Q

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

SiC MOSFET作为第三代功率半导体,由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力,使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品,完全符合AECQ-101标准,专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发,非常容易使用。

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TitleTypeDateFile
AOK033V120X2Q DatasheetDatasheets2021-07-16PDF
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SiC Product HighlightsProduct Highlights2024-02-09PDF
TO247_3Package2023-11-08PDF
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Parametrics
Status
Full Production
Package
TO247-3L
VDS (V)
1200
ID @ 25°C (A)
68
Qrr (nC)
226
Qualification
Automotive
RDS(ON) typ (mΩ)
33
VGS,OP (V)
15
Tj max (°C)
175
Package Details
Package NameDimensionsPackage SpecificationsPackaging Method
TO247_3L 21.00x15.80x5.00PDFTube