SiC MOSFET作为第三代功率半导体,由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力,使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品,完全符合AECQ-101标准,专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发,非常容易使用。
Status | Full Production |
Package | TO247-4L |
VDS (V) | 1200 |
ID @ 25°C (A) | 68 |
Qrr (nC) | 226 |
Qualification | Industrial |
RDS(ON) typ (mΩ) | 33 |
VGS,OP (V) | 15 |
Tj max (°C) | 175 |
Status | Full Production |
Package | TO247-4L |
VDS (V) | 1200 |
ID @ 25°C (A) | 68 |
Qrr (nC) | 226 |
Qualification | Industrial |
RDS(ON) typ (mΩ) | 33 |
VGS,OP (V) | 15 |
Tj max (°C) | 175 |
Title | Type | Date | File |
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AOM033V120X2 Datasheet | Datasheets | 2021-11-01 | |
AOM033V120X2 Marking | Markings | 2021-11-01 | |
TO247_4L | Package | 2024-08-02 | |
TO247_4L Tube | Tube | 2024-08-29 |