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AOM060V65X2

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Status: Full Production

SiC MOSFET作为第三代功率半导体,由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力,使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品,完全符合AECQ-101标准,专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发,非常容易使用。

Parametrics
Status
Full Production
Package
TO247-4L
VDS (V)
650
ID @ 25°C (A)
29
Qrr (nC)
51
Qualification
Industrial
RDS(ON) typ (mΩ)
60
VGS,OP (V)
15
Tj max (°C)
175
Parametrics
Status
Full Production
Package
TO247-4L
VDS (V)
650
ID @ 25°C (A)
29
Qrr (nC)
51
Qualification
Industrial
RDS(ON) typ (mΩ)
60
VGS,OP (V)
15
Tj max (°C)
175
Documentation
TitleTypeDateFile
AOM060V65X2 Datasheet
Datasheets2023-06-09PDF
AOM060V65X2 Marking
Markings2023-12-06PDF
TO247 Tube
Tube2023-10-06PDF
TO247_4L
Package2024-08-02PDF
TO247_4L Tube
Tube2024-08-29PDF
Package Details
Package NameDimensionsPackage SpecificationsPackaging Method
TO247_4L 20.95x15.92x5.0PDFTube